我國(guó)全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)
來(lái)源：環(huán)球時(shí)報(bào) 時(shí)間：2024-09-19 18:34
近日，國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心暨國(guó)家電力投資集團(tuán)公司下屬核力創(chuàng)芯（無(wú)錫）科技有限公司完成首批高能氫離子注入芯片產(chǎn)品交付，產(chǎn)品各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，標(biāo)志著我國(guó)全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)，打通了我國(guó)功率芯片產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵一環(huán)。
目前，該研發(fā)中心在江蘇無(wú)錫建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條功率芯片高能氫離子注入生產(chǎn)線已建成投運(yùn)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)以2年時(shí)間集智攻關(guān)，突破多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)，完成自主研制的氫離子注入專用加速器調(diào)試出束，實(shí)現(xiàn)100%技術(shù)自主和裝備零部件國(guó)產(chǎn)化，并完成首批800片芯片交付。
據(jù)介紹，功率芯片是現(xiàn)代電力電子設(shè)備的核心部分，廣泛應(yīng)用于軍工、新能源、航空航天、軌道交通、特高壓輸變電等領(lǐng)域。光刻、刻蝕和離子注入是芯片制造三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其中氫離子注入是實(shí)現(xiàn)離子注入的高精尖技術(shù)，對(duì)于提高電力電子設(shè)備性能、效率和可靠性至關(guān)重要。此前，由于我國(guó)氫離子注入核心技術(shù)及裝備缺失，國(guó)產(chǎn)功率芯片可靠性難以突破，一度成為制約我國(guó)功率芯片產(chǎn)業(yè)高端化發(fā)展的關(guān)鍵"卡脖子"問題。國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)充分發(fā)揮核技術(shù)優(yōu)勢(shì)，瞄準(zhǔn)功率芯片氫離子注入關(guān)鍵技術(shù)，依托涉核企事業(yè)單位在加速器、材料輻照等核領(lǐng)域技術(shù)優(yōu)勢(shì)，積極賦能功率芯片研制，助力產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國(guó)產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。
責(zé)任編輯：余璇
